julio 29, 2021

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Samsung anunció el inicio de producción de chips LPDDR4X a 10 nm de 2.ª generación

Samsung continúa con sus avances en lo relativo a los procesos de fabricación anunciando la disponibilidad de los primeros chips de RAM fabricados a 10 nm con el proceso de segunda generación. Como ocurre con la forma de notificar que tienen Samsung y otras compañías, cuando dicen «10 nm» es algo entre 10 nm y 19 nm, como especifica claramente Samsung en la nota de prensa. Por lo que tampoco se puede saber qué proceso de fabricación ha usado la compañía exactamente. Este proceso de fabricación a 10 nm es denominado 1y nm, y se está usando para fabricar chips de memoria LPDDR4X para dispositivos móviles con una tasa de transferencia máxima de 4266 Mb/s, que con el controlador de memoria de 64 bits se traduce en una velocidad de hasta 2133 MHz. Este proceso 1y nm, frente al anterior 1x nm, aumentará su producción un 70 %, y llegará en paquetes de 8 GB combinando cuatro chips de 16 Gb (2 GB). El ancho de banda total de estos chips es de 34.1 GB/s y su grosor es un 20 % menor que el proceso de primera generación que era usado para memoria LPDDR4.   [gallery]]]>